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解决vue-router 切换tab标签关闭时缓存问题
网络编程 2024/11/16 佚名
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在router入口页面加上 keepAlive: true // 需要被缓存 false则不需要

 {
  path: 'fundProListG',
  component: resolve => require(['@/pages/product/fundPros/fundTab/fundTab.vue'], resolve),
  title: '基金首页',
  redirect: 'fundProListG/fundProListG',
  meta: {
  keepAlive: false // 不需要被缓存
  },
  children: [{
  path: 'fundProListG',
  component: resolve => require(['@/pages/product/fundPros/fundProListG.vue'], resolve),
  meta: {
  keepAlive: true // 需要被缓存
  }
  },{
  path: 'fungAdm',
  component: resolve => require(['@/pages/product/fundPros/fungAdm.vue'], resolve),
  meta: {
  keepAlive: true // 需要被缓存
  }
  }]
 },

App.vue (你在哪写的那个<router-view ></router-view>标签就在哪改动)

<keep-alive>
 <router-view v-if="$route.meta.keepAlive"></router-view>
 </keep-alive>
 <router-view v-if="!$route.meta.keepAlive"></router-view>

当点关闭标签的时候如果不想当前页面缓存 加上

解决vue-router 切换tab标签关闭时缓存问题

接着遇到了第一次缓存第二次改为false后打开不缓存了 在关闭标签页面 加上这个

解决vue-router 切换tab标签关闭时缓存问题

补充知识：解决通过vue-router打开tab页，下次进入还是上次history缓存的界面状态的问题

一、问题描述：

1. 跳转模式：界面A-->界面B（界面A中通过 this.$router.push({name:'组件B名称', params: {参数}}) 通过打开新tab页的方式打开界面B。）

2.关闭界面B，回到界面A

3.再次从A到B时，打开的界面B仍然是上次的状态，哪怕传递的参数不一样。

另：router声明如下

{
 path: 'demo/pageB',
 name: 'pageB',
 component: _import('demo/pageB'),
 meta: {
  requiresAuth: true,
  keepAlive: false, // 不需要被缓存
  title: '界面B'
 }
}

二、原因：　详见vue-router官网

解决vue-router 切换tab标签关闭时缓存问题

三、解决方式：在界面B离开时，销毁组件。代码如下：

// 导航离开该组件的对应路由时调用[可以访问组件实例 `this`]
beforeRouteLeave (to, from, next) {
 // 销毁组件，避免通过vue-router再次进入时，仍是上次的history缓存的状态
 this.$destroy(true)
 next()
}　　

更多beforeRouteLeave 详见官网

四、其它解决方式（未成功）：

vue-router官网提供了 router.replace(location, onComplete"" src="/UploadFiles/2021-04-02/20200722084111.jpg">

我的写法：

this.$router.replace({name:'组件B名称', params: {参数}}, () => { this.warning('test!') }, () => { this.warning('test!') }) 　　

以上这篇解决vue-router 切换tab标签关闭时缓存问题就是小编分享给大家的全部内容了，希望能给大家一个参考，也希望大家多多支持。

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三星在GTC上展示了专为下一代游戏GPU设计的GDDR7内存。

首次推出的GDDR7内存模块密度为16GB，每个模块容量为2GB。其速度预设为32 Gbps（PAM3），但也可以降至28 Gbps，以提高产量和初始阶段的整体性能和成本效益。

据三星表示，GDDR7内存的能效将提高20%，同时工作电压仅为1.1V，低于标准的1.2V。通过采用更新的封装材料和优化的电路设计，使得在高速运行时的发热量降低，GDDR7的热阻比GDDR6降低了70%。

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