1开机按F1键,这是因为你的BIOS设置不当但也能正常引导系统,属非致命性故障,按F1是在问你是否继续。

你没有安装软盘驱动器,但是在CMOS中设置了,开启软驱的选项.

方法是:开机按Del键,进入BIOS设置,选择第一个"基本设置",把floopy一项设置没"Disabel"无效就可以了.

2刚开始开机时按DEL进入BIOS,按回车键进入第一项,看看里面的“Drive A”项是不是“None”,不是的话按“Pgup”或“PgDn”进行修改,修改后按“ESC”退出,选“Save & Exit Setup”项按回车退出BIOS,重启,再不行的话就换了电池再按上面的步骤重新设置既可。

3开机需要按下F1键才能进入,主要是因为BIOS中设置与真实硬件数据不符引起的,可以分为以下几种情况:

1、实际上没有软驱或者软驱坏了,而BIOS里却设置有软驱,这样就导致了要按F1才能继续。

2、原来挂了两个硬盘,在BIOS中设置成了双硬盘,后来拿掉其中一个的时候却忘记将BIOS设置改回来,也会出现这个问题。

3、主板电池没有电了也会造成数据丢失从而出现这个故障。

4、重新启动系统,进入BIOS设置中,发现软驱设置为1.44M了,但实际上机箱内并无软驱,将此项设置为NONE后,故障排除。

曾经有很多人问过这样的问题,下面将我遇过的此类问题做一下总结,希望对大家有所帮助。

1、Hareware Monitor found an error,enter POWER MANAGEMENT SETUP for details,Press F1 to continue,DEL to enter SETUP

中文:监视功能发现错误,进入POWER MANAGEMENT SETUP察看详细资料,按F1键继续开机程序,按DEL键进入COMS设置。

解释:有的主板具备硬件的监视功能,可以设定主板与CPU的温度监视、电压调整器的电压输出准位监视和对各个风扇转速的监视,当上述监视功能在开机时发觉有异常情况,那么便会出现上述这段话,这时可以进入COMS设置选择POWER MANAGEMENT SETUP,在右面的**Fan Monitor**、**Thermal Monitor**和**Voltage Monitor**察看是哪部分发出了异常,然后再加以解决。

2、pri slave drive-ATAPI LNCOMPatible press F1 to Resume

可能是你的光驱没接好或有故障,最好在CMOS中将各IDE口设为自动。

3、Press F1 to continue,DEL to enter SETUP

开机后 按DEL 进入 BIOS ,在选择软驱中选择 NONE 后按F10保存就可以了

4、CMOS checksum error-Defaults loaded

Press F1 to contnue?DEL to enter SETUP

08/09/2000-i810-ITE8712-6A69ME1CC-00

cmos电池没电。

5、Warning!CPU has been changed!Please Enter CPU speed CMOS setup and Remember to save Before Exit!

这说明BIOS设置被冲掉了,要重新设置BIOS(又叫做CMOS设置)。开机按住“Del”键进入设置,看你的主板说明书。你的CPU频率是多少?在BIOS中要选好外频,倍频反正是锁定的。外频总是66、100或133,要看CPU型号,从低往高设置。如果是AWARD的BIOS设置,在首页就选Frequency/Voltage Control (频率/电压的控制),使用此菜单可以对频率、电压进行特别的设定。其中“Clock By Slight Adjust(时钟频率微调)”允许你选择CPU时钟频率。各种主板的BIOS设置有差别,可以参考自己的主板说明书进行调整。

6、cpu has been changed please re-enter cpu settings in the cmos setup and remember to save before quit!

有些主板上有个外频跳线,默认为100MHZ,还有些主板不支持自动调频.你只要进BIOS里把外频设置成你的CPU标准外频就可以了,倍频方面一般是自动设置,最好不要超频。

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RTX 5090要首发 性能要翻倍!三星展示GDDR7显存

三星在GTC上展示了专为下一代游戏GPU设计的GDDR7内存。

首次推出的GDDR7内存模块密度为16GB,每个模块容量为2GB。其速度预设为32 Gbps(PAM3),但也可以降至28 Gbps,以提高产量和初始阶段的整体性能和成本效益。

据三星表示,GDDR7内存的能效将提高20%,同时工作电压仅为1.1V,低于标准的1.2V。通过采用更新的封装材料和优化的电路设计,使得在高速运行时的发热量降低,GDDR7的热阻比GDDR6降低了70%。