进入vi的命令
vi filename :打开或新建文件,并将光标置于第一行首
vi +n filename :打开文件,并将光标置于第n行首
vi + filename :打开文件,并将光标置于最后一行首
vi +/pattern filename:打开文件,并将光标置于第一个与pattern匹配的串处
vi -r filename :在上次正用vi编辑时发生系统崩溃,恢复filename
vi filename....filename :打开多个文件,依次进行编辑

移动光标类命令
h :光标左移一个字符
l :光标右移一个字符
space:光标右移一个字符
Backspace:光标左移一个字符
k或Ctrl+p:光标上移一行
j或Ctrl+n :光标下移一行
Enter :光标下移一行
w或W :光标右移一个字至字首
b或B :光标左移一个字至字首
e或E :光标右移一个字至字尾
) :光标移至句尾
( :光标移至句首
}:光标移至段落开头
{:光标移至段落结尾
nG:光标移至第n行首
n+:光标下移n行
n-:光标上移n行
n$:光标移至第n行尾
H :光标移至屏幕顶行
M :光标移至屏幕中间行
L :光标移至屏幕最后行
0:(注意是数字零)光标移至当前行首
$:光标移至当前行尾

屏幕翻滚类命令
Ctrl+u:向文件首翻半屏
Ctrl+d:向文件尾翻半屏
Ctrl+f:向文件尾翻一屏
Ctrl+b;向文件首翻一屏
nz:将第n行滚至屏幕顶部,不指定n时将当前行滚至屏幕顶部。

插入文本类命令
i :在光标前
I :在当前行首
a:光标后
A:在当前行尾
o:在当前行之下新开一行
O:在当前行之上新开一行
r:替换当前字符
R:替换当前字符及其后的字符,直至按ESC键
s:从当前光标位置处开始,以输入的文本替代指定数目的字符
S:删除指定数目的行,并以所输入文本代替之
ncw或nCW:修改指定数目的字
nCC:修改指定数目的行

删除命令
ndw或ndW:删除光标处开始及其后的n-1个字
do:删至行首
d$:删至行尾
ndd:删除当前行及其后n-1行
x或X:删除一个字符,x删除光标后的,而X删除光标前的
Ctrl+u:删除输入方式下所输入的文本

搜索及替换命令
/pattern:从光标开始处向文件尾搜索pattern
?pattern:从光标开始处向文件首搜索pattern
n:在同一方向重复上一次搜索命令
N:在反方向上重复上一次搜索命令
:s/p1/p2/g:将当前行中所有p1均用p2替代
:n1,n2s/p1/p2/g:将第n1至n2行中所有p1均用p2替代
:g/p1/s//p2/g:将文件中所有p1均用p2替换

选项设置
all:列出所有选项设置情况
term:设置终端类型
ignorance:在搜索中忽略大小写
list:显示制表位(Ctrl+I)和行尾标志($)
number:显示行号
report:显示由面向行的命令修改过的数目
terse:显示简短的警告信息
warn:在转到别的文件时若没保存当前文件则显示NO write信息
nomagic:允许在搜索模式中,使用前面不带“\”的特殊字符
nowrapscan:禁止vi在搜索到达文件两端时,又从另一端开始
mesg:允许vi显示其他用户用write写到自己终端上的信息

最后行方式命令
:n1,n2 co n3:将n1行到n2行之间的内容拷贝到第n3行下
:n1,n2 m n3:将n1行到n2行之间的内容移至到第n3行下
:n1,n2 d :将n1行到n2行之间的内容删除
:w :保存当前文件
:e filename:打开文件filename进行编辑
:x:保存当前文件并退出
:q:退出vi
:q!:不保存文件并退出vi
:!command:执行shell命令command
:n1,n2 w!command:将文件中n1行至n2行的内容作为command的输入并执行之,若不指定n1,n2,则表示将整个文件内容作为command的输入
:r!command:将命令command的输出结果放到当前行

寄存器操作
"?nyy:将当前行及其下n行的内容保存到寄存器?中,其中?为一个字母,n为一个数字
"?nyw:将当前行及其下n个字保存到寄存器?中,其中?为一个字母,n为一个数字
"?nyl:将当前行及其下n个字符保存到寄存器?中,其中?为一个字母,n为一个数字
"?p:取出寄存器?中的内容并将其放到光标位置处。这里?可以是一个字母,也可以是一个数字
ndd:将当前行及其下共n行文本删除,并将所删内容放到1号删除寄存器中。

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RTX 5090要首发 性能要翻倍!三星展示GDDR7显存

三星在GTC上展示了专为下一代游戏GPU设计的GDDR7内存。

首次推出的GDDR7内存模块密度为16GB,每个模块容量为2GB。其速度预设为32 Gbps(PAM3),但也可以降至28 Gbps,以提高产量和初始阶段的整体性能和成本效益。

据三星表示,GDDR7内存的能效将提高20%,同时工作电压仅为1.1V,低于标准的1.2V。通过采用更新的封装材料和优化的电路设计,使得在高速运行时的发热量降低,GDDR7的热阻比GDDR6降低了70%。