上位机:ubuntu14.04 64bit
下位机:qq2440
交叉编译器:arm-linux-gcc 3.4.1
下位机使用的linux内核版本:kernel2.6.13
1.插入u盘时错误信息如下:
[root@FriendlyARM /home]# usb 1-1: new full speed USB device using s3c2410-ohci and address 6
usb 1-1: device descriptor read/64, error -110
usb 1-1: device descriptor read/64, error -110
usb 1-1: new full speed USB device using s3c2410-ohci and address 7
usb 1-1: device descriptor read/64, error -110
usb 1-1: device descriptor read/64, error -110
usb 1-1: new full speed USB device using s3c2410-ohci and address 8
usb 1-1: device not accepting address 8, error -110
usb 1-1: new full speed USB device using s3c2410-ohci and address 9
usb 1-1: device not accepting address 9, error -110
2.解决方案如下:
2.1修改drivers/usb/host/ohci-s3c2410.c文件,添加以下内容:
a.先添加头文件#include <mach/regs-clock.h>
b.在s3c2410_start_hc函数中添加以下内容:
bash/shell Code复制内容到剪贴板- unsigned long upllvalue = (0x78 << 12) | (0x02 << 4) | (0x03);
- while (upllvalue != __raw_readl(S3C2410_UPLLCON)) {
- __raw_writel(upllvalue, S3C2410_UPLLCON);
- mdelay(1);
- }
添加后的s3c2410_start_hc函数如下:
bash/shell Code复制内容到剪贴板- static void s3c2410_start_hc(struct platform_device *dev, struct usb_hcd *hcd)
- {
- struct s3c2410_hcd_info *info = dev->dev.platform_data;
- dev_dbg(&dev->dev, "s3c2410_start_hc:\n");
- clk_enable(clk);
- if (info != NULL) {
- info->hcd = hcd;
- info->report_oc = s3c2410_hcd_oc;
- if (info->enable_oc != NULL) {
- (info->enable_oc)(info, 1);
- }
- }
- unsigned long upllvalue = (0x78 << 12) | (0x02 << 4) | (0x03);
- while (upllvalue != __raw_readl(S3C2410_UPLLCON)) {
- __raw_writel(upllvalue, S3C2410_UPLLCON);
- mdelay(1);
- }
- }
2.2总结:以上修改的函数功能是启动主机控制器,因为usb时钟设置有问题,因而在开启主机控制器时修改时钟,修改后的S3C2410_UPLLCON的值为0xF4100008;
3.注意:本版本内核没有头文件regs-clock.h,因而我从其他内核中复制过来的,命令如下:
jello@jello-Inspiron-N4050:~/Downloads/qq2440/linux/kernel-2.6.13$ cp /tftpboot/kernel-2.6.35.7/arch/arm/mach-s3c2410/include/mach/regs-clock.h ./
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RTX 5090要首发 性能要翻倍!三星展示GDDR7显存
三星在GTC上展示了专为下一代游戏GPU设计的GDDR7内存。
首次推出的GDDR7内存模块密度为16GB,每个模块容量为2GB。其速度预设为32 Gbps(PAM3),但也可以降至28 Gbps,以提高产量和初始阶段的整体性能和成本效益。
据三星表示,GDDR7内存的能效将提高20%,同时工作电压仅为1.1V,低于标准的1.2V。通过采用更新的封装材料和优化的电路设计,使得在高速运行时的发热量降低,GDDR7的热阻比GDDR6降低了70%。
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